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新思科技与台积电合作进行5纳米工艺技术认证

发布时间:2019-11-25 18:25:23来源:网络

台积电设计基础设施管理高级总监苏克莱(Suklee)说:我们与鑫喜科技紧密合作,确保良好的设计流程,以帮助客户应对日益复杂的高性能计算和移动设计需求,并在5纳米工艺中实现芯片创新。作为台积电生态系统的合作伙伴,鑫思科技继续扩大其在台积电最先进的5纳米工艺中实现高性能计算和移动设计解决方案方面的领先优势。

在高性能计算和移动设计过程中,各种设计工具的增强功能使设计者能够最大限度地利用TSMC5纳米技术在逻辑密度、性能和功耗方面的优势,而不仅仅是上一代的过程节点。从布局规划和布局开始,SynopsysDesign编译器图形综合和ic编译器≤II布局和路由创建新特性,以处理适用于新的5nm间距、邻接和边界单元插入的布局规则。为了满足移动设备超低功耗的需求,越来越多的低泄漏设备需要增加和使用。因此,汇编也得到了升级,以应对遵守低泄漏单元布局的复杂性。作为高性能计算和移动设计流程平台认证的一部分,我们将鑫思科技StarRC和黄金时段Signoff解决方案的结果与设计实现结果进行严格的比较,以成功地实现设计过程的相关一致性目标,从而提高设计收敛性,减少市场总时间。

高性能计算和移动市场的快速创新要求芯片团队更好地利用5纳米处理技术来支持客户满足他们的设计和推出时间要求,新西技术芯片设计营销策略副总裁michaelsanie说。与台积电的最新合作可以更好地支持高性能计算和移动芯片设计的客户。我们将继续努力提供一流的解决方案,以优化性能、功耗和逻辑密度,并帮助客户按时进入市场。

包括新技术设计平台在内的协作的关键产品和特点包括:

Ic编译程序的布局和路由:全自动、全色选线和提取支持,加上扩展的孔柱自动化。部署新一代的布局和布局遵从技术,包括先进的引脚访问模型,以支持强大的单位空间减少和提高设计利用率。黄金时段定时西格诺夫:支持新的物理设计规则,以先进的变化建模低压和增强的生态技术。初功耗西格诺夫:先进的物理传感功耗模型,准确分析超高密度标准单元的泄漏效应。StarRC提取σ:处理5个纳米设备复杂性的高级建模,并使用一个用于寄生提取一致性的共同技术文件,从合成到布局和路由到Signoff。符合条件的drc、LVS和填充的运行集,用于本机开发ic验证器物理Signoff:。刚果民主共和国运行集是在台积电发布设计规则的同时发布的。HSPICE、CustomSim和FineSim仿真解决方案:精确的FinFET设备建模、MonteCarlo功能支持和电路仿真,用于仿真、逻辑、高频和SRAM设计。CustomSim可靠性分析:根据5nm电迁移规律,考虑自加热效应的动态晶体管级ir/em分析。定制编译器自定义设计:支持新的5nm设计规则、着色过程、多晶轨道区域和新的MEOL连接要求。纳米时间定制设计的运行时间:5个纳米器件,FinFET堆的Pocv分析,以及自定义逻辑和嵌入式SRAM的增强信号完整性分析。Esp-cv自定义设计功能验证:对SRAM、宏和库单元设计进行晶体管级符号等值检查。

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